ZEISS Crossbeam 750 được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi độ chính xác định vị điểm cuối cao. Khả năng ghi hình trực tiếp trong quá trình phay giúp kiểm soát theo thời gian thực để chuẩn bị các mẫu phức tạp một cách chủ động và chính xác

Tính năng nổi bật:

• Hệ quang học Gemini 4: Mang lại chất lượng ghi hình SEM vượt trội với tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu (SNR) và độ phân giải cao, ngay cả ở điện áp thấp (low-kV) hoặc trên các mẫu đặt nghiêng.

• HDR Mill + SEM: Cải thiện khả năng quan sát trực tiếp trong khi phay (see while you mill) trong quá trình phay thô dòng cao, giúp bóc tách vật liệu nhanh hơn.

• Low-kV SEM trực tiếp kết hợp Low-kV FIB: Cho phép xác định và định vị điểm cuối cực kỳ chính xác trong giai đoạn đánh bóng cuối cùng.

• Giảm thiểu tổn thương vô định hình: Đầu chùm ion Ion-sculptor FIB giúp phay nhanh, chính xác và giảm tối đa hư hại cấu trúc mẫu.

• Ứng dụng đề xuất: Phù hợp cho các nút bán dẫn tiên tiến (advanced semiconductor nodes), phân tích lỗi (failure analysis), nghiên cứu vật liệu chính xác và các mẫu vật liệu có giá trị cao.