Khối phổ ion thứ cấp (SIMS)

Giới thiệu về các kỹ thuật SIMS
Khi một mẫu rắn được phún xạ bởi các ion chính ở năng lượng vài keV, một phần nhỏ của các hạt phát xạ sẽ bị ion hóa. Khối phổ ion thứ cấp có bao gồm một phổ kế phân tích các ion thứ cấp. Các ion phát xạ từ bệ mặt mẫu sẽ cung cấp thông tin về các thành phần nguyên tố, đồng vị và phân tử của các lớp nguyên tử trên cùng của mẫu. Số lượng ion thứ cấp thay đổi rất nhiều theo môi trường hóa học và các điều kiện phún xạ (ion, năng lượng, góc). Đến nay, SIMS là vẫn công nhận là kỹ thuật phân tích bề mặt nguyên tố đồng vị độ nhạy cao nhất.

Kỹ thuật SIMS cung cấp một sự kết hợp độc đáo cho độ nhạy cao nhất với tất cả các yếu tố từ hydro để Urani và trên đó (giới hạn phát hiện xuống đến mức ppb với nhiều nguyên tố), hình ảnh độ phân giải không gian cao (đạt đến 40 nm), một nền rất thấp cho dải động học cao (trên 5 thập kỷ). Đây là kỹ thuật  “phá hủy” bởi bản chất của nó (phún xạ vật chất). Nó có thể được áp dụng cho bất kỳ loại vật liệu (chất cách điện, chất bán dẫn, kim loại) trong điệu kiện chân không.

NanoSIMS 50L
SIMS vi đầu dò cho phân tích đồng vị và vết tại độ phân giải không gian cao
CAMECA NanoSIMS 50L là khố phổ ion thứ cấp cho hiệu quả cao nhất, tối ưu nhất. Nó dựa trên một thiết kế quang học đồng trục của súng ion và phân tách ion thứ cấp bởi một cung từ và một dãy đầu thu multicollection.

Các tính năng chính:
Các NanoSIMS 50L cung cấp đồng thời nhiều hiều quả mà chỉ có thể thu được riêng biệt trên nhiều thiết bị khác nhau như:
- Độ phân giải phân tích không gian cao (đạt đến đến 50 nanomet),
- Độ nhạy cao (ppm trong bản đồ nguyên tố),
- Đôh phân giải khối cao (M / dM),
- Thu nhận song song tới 7 số khối,

- Thu nhận nhanh (chế độ DC, không xung),
- Phân tích vật liệu cách điện

- Và nhờ sự cải thiện gần đây, nó cho phép phân tích được tỉ lệ đồng vị tại vài chục phần triệu.

  • Khối phổ ion thứ cấp ...

    MiniSIMS là thiết bị có hiệu quả ưu việt trong phân tích bề mặt và cho chính xác thông tin các mẫu hữu cơ. Sự kết hợp với khối phổ ...