KÍnh hiển vi hai chùm tia (Dual Beam)
Thứ sáu, 31/05/2013

Là hệ thống hiển vi sử dụng hai chùm tia: điện tử và ion sử dụng trong quan sát, phân tích mẫu trong các nghiên cứu micro và nano. Dual Beam là công cụ cao nhất cho hình ảnh và phân tích dưới bề mặt. Dual Beam thực hiện trên bất kỳ mẫu vật liệu nào, tất cả thông tin hay bất kỳ kích thước nào.

Là hệ thống hiển vi sử dụng hai chùm tia: điện tử và ion sử dụng trong quan sát, phân tích mẫu trong các nghiên cứu micro và nano. Dual Beam là công cụ cao nhất cho hình ảnh và phân tích dưới bề mặt. Dual Beam thực hiện trên bất kỳ mẫu vật liệu nào, tất cả thông tin hay bất kỳ kích thước nào.

Nó mở ra công nghệ 3 chiều cho kính hiển vi điện tử. Công nghệ chùm ion hội tụ (FIB) là công cụ tăng cường được ứng dụng trong các nghiên cứu truyền thống được hỗ trợ bởi SEM. Giá trị của FIB là ở chỗ khi kết hợp với SEM nó có khả năng cho hình ảnh 3 chiều, các thông số 3 chiều bên dưới bề mặt của mẫu, làm sáng tỏ hơn những hiểu biết về cấu trúc vật liệu. Dual Beam của FEI là thiết bị hai chùm tia và là kính SEM đa dạng đầu tiên được lắp thêm chùm hội tụ ion FIB.

 FIB có tác dụng như một vi phẫu bằng cách loại bỏ phần vật liệu tại vị trí cần quan tâm trên hình ảnh SEM và cho biết được đặc điểm cấu trúc bên trong. Chùm ion của FEI cso độ chính xác, độ ổn định cao và hoàn toàn tự động cho phép bạn tối ưu kích thước chùn tia và cường độ dòng để loại bỏ, phủ hay khắc lên mẫu.

Sự kết hợp của FIB và SEM đã mở rộng rất nhiều ứng dụng của SEM. Cả hai chùm tia đều được kích hoạt chính xác cùng một vị trí, cho khả năng cắt bỏ, thay đổi hay khắc trong khi thu ảnh trực tiếp.

Cấu tạo của Dual Beam cũng cho phép khả năng phân tích với các kĩ thuật EDS, WDS và EBSD trong khi vẫn có sẵn các cổng chờ cho các chức năng huỳnh quang ca tốt hay mẫu lạnh Cryo.  Ngoài ra chùm FIB cũng có thể được sử dụng để thu ảnh có độ tương phản cao trong các nghiên cứu hạt.

Dual Beam mở rộng nghiên cứu với khả năng mới với khả năng cho các thông tin bên dưới bề mặt mẫu, cho biết cấu trúc của vật liệu. Khi kết hợp giữa SEM và FIB nó cho đồng thời cả đặc điểm bề mặt vầ bên dưới bề mặt mẫu. các biến đổi của mẫu khi cắt bỏ hay khắc mẫu.

Trong ứng dụng biến đổi mẫu (Cắt/loại bỏ mẫu), FIB chủ yếu được sử dụng để cắt bỏ một phần bề mặt mẫu sau đỏ loại bỏ phần cắt này để quan sát đặc điểm bên dưới. Điều này sẽ cho phép quan sát được bên dưới bề mặt của mẫu ví dụ như các lỗi vật liệu của lớp bên dưới với các vật liệu bán dẫn, chíp điện tử hay vật liệu sinh học. Cắt mẫu bằng FIB cũng có thể được sử dụng để chuẩn bị tại chổ các mẫu mỏng cho các nghiên cứu dưới kĩ thuật STEM hoặc TEM để có những hiểu biết sâu hơn về mẫu.

Phủ mẫu (deposition): Quá trình phủ mẫu bằng chùm tia được thực hiện bằng cách đưa vào một loại vật liệu (thường là Pt, W, C….) gần với bề mặt mẫu, sau đó hoạt hóa chúng bằng chùm ion hoặc điện tử. Sự phủ mẫu có thể được sử dụng để phủ một lớp kim loại lên bề mặt hoặc tạo một cấu trúc từ trên xuống hoặc từ dưới lên. FIB là phù hợp nhất để phủ nhanh một lớp kim loại trên bề mặt rộng trong khi chùm điện tử phù hợp khi cần độ chính xác cao.

Tạo hình trong Dual Beam: sử dụng một bộ tạo hình kỹ thuật số để tạo nên bất kỳ hình vẽ có thể. Các file tỉ lệ xám được sử dụng để định nghĩa các hình quan tâm với  tỉ lề xám khác nhau được xác định theo thời gian. Chức năng tự động cho phép bạn lặp lại các hình chính xác trên các vùng khác nhau của mẫu.

TIN LIÊN QUAN