CAMECA
Thứ hai, 27/05/2013

SIMS: Cực nhạy, độ phân giải khối cao, phạm vi hoạt động cao, giới hạn phát hiện thấp và thông lượng phân tích cao ... các thiết bị SIMS của CAMECA được công nhận trên toàn cộng đồng vi mạch quốc tế là thiết bị tốt nhất dải công cụ điều tra trên vật liệu và thiết bị mới.

Chúng cũng được sử dụng như công cụ trong công nghệ lưu trữ near-line cho quy trình sản sản xuất in-line tự động

Dòng sản phẩm SIMS công nghệ bán dẫn bao gồm:

• IMS Wf và SC Ultra: tối ưu hóa cho phân tích nguyên tố vết dưới bề của cấu trúc siêu mỏng tại năng lượng tác động rất thấp (EXLIE).
• IMS-7f: Phân tích chiều sâu với độ nhạy cao (xuống ppb) và cho hình ảnh 2D hoặc 3D của các nguyên tố vết (vi lượng).

• SIMS 4550: SIMS tứ cực phân tích năng lượng siêu thấp cực kỳ dễ sử dụng, đan năng và phù hợp cho phân tích chất cách điện

LEXES

• Shallow Probe EX-300 là công cụ hàng đầu đo lường thành phần độ dày của của cấu trúc siêu mỏng.

3D Atom Probe
• LEAP Si cung cấp vi trường và hiệu quả phát hiện tuyệt vời, thiết bị là công cụ lý tưởng cho các ứng dụng bán dẫn và vi điện tử đòi hỏi cao về dữ liệu, độ nhạy và tốc độ phân tích.

Các ứng dụng

Research

- Depth profiling of deep and shallow implants with the IMS 7f
- Depth profiling at sub-nm resolution with CAMECA EXLIE SIMS instruments
In-depth analysis of SiGe structure with the SIMS 4550 
Analysis of Dopant Distribution in Transistors with LEAP Si 3D Atom Probe
- Analysis of Silicidation Process in Metal Thin Films with LEAP Si 3D Atom Probe

Metrology

- Ultra shallow implant metrology with the CAMECA Shallow Probe: Boron Example
- HKMG 32/22nm metrology with the CAMECA Shallow Probe
- SiON metrology with the IMS Wf & SC Ultra
Oxynitride metrology using CAMECA Quadrupole SIMS

TIN LIÊN QUAN