KÍNH HIỂN VI ĐIỆN TỬ QUÉT PRISMA E
Thứ năm, 09/05/2019

Prisma E SEM cung cấp hiệu suất toàn diện về hình ảnh và phân tích, với chế độ môi trường độc đáo ESEM và đi kèm là một loạt phụ kiện khiến hệ trở thành một hệ tungsten SEM hoàn hỉnh nhất hiện có

• Nghiên cứu vật liệu tại chỗ với trạng thái tự nhiên của vật liệu : Pisma E cung cấp chế độ ESEM độc nhất

• Giảm thiểu tối đa thời gian chuẩn bị mẫu : Chân không thấp cùng với khả năng của ESEM cho phép cung cấp ảnh cùng với việc phân tích các mẫu không dẫn điện hoặc ngậm nước

• Quan sát tất cả thông tin từ tất cả cá mẫu cho hình ảnh SE và BSE đồng thời ở mọi chế độ hoạt động

• Có chức năng nâng cấp phân tích tại chỗ với nhiệt độ từ -165 tới 1400 độ với bệ mẫu chuyên dụng ( Lựa chọn thêm)

• Khả năng phân tích tuyệt vời với buồng mẫu cho phép lắp đồng thời 2 đầu dò EDS ( có sẵn), với cổng lắp EDS tạo một góc 180 độ đối nhau, và cho phép lắp thêm  đầu dò WDS ( nâng cấp) và EDS/EBSD đồng phẳng ( nâng cấp)

• Phân tích xuất sắc với các mẫu không dẫn điện : EDS và EBSD ( nâng cấp) chất lượng cao cho phép được kích họat trong chân không thấp với kính SEM PRISMA E qua công nghệ bơm trong thấu kính

• Bệ mẫu chính tâm có độ chính xác vao nghiêng dải góc 105 độ cho phép quan sát mẫu từ tất cả các điểm

• Dễ sử dụng, phần mềm trực quan đi kèm với hướng dẫn sử dụng và chức năng hoàn tác giúp người dùng mới có thể làm quen dễ dàng đem lại hiệu quả cao, đồng thời cho phép các chuyên gia làm việc nhanh hơn và ít phải nhấp chuột hơn

• Có thể nâng cấp với  một loạt các lựa chọn, bao gồm đầu dò RGB CL có thể thu vào, một tầng gia nhiệt chân không cao 1100 độ C,  µHeater  Autoscript,  và một công cụ tạo bản thảo dựa trên nền Python

Nghiên cứu tính chất nano

• Kim loại và hợp kim, vật liệu từ và siêu dẫn

•  Gốm sứ và vật liệu tổng hợp, nhựa

•  Phim và lớp phủ

•  Khoáng sản

• Vật liệu mềm : Polyme, dược phẩm, bộ lọc, gel, mô, thực vật

•  Hạt, vật liệu xốp, sợi

Đặc tính tại chỗ( cần mua những phụ kiện chuyên biệt)

•  Sự kết tinh và sự chuyển đổi các pha

•  Quá trình oxi hóa, xúc tác

•  Độ tăng trưởng của vật liệu

•  Phân tích độ ẩm,  sự mất nước

Độ phân giải chùm electron

Ảnh ở chế độ chân không cao ( < 6 . 10-4 Pa) :

• 3.0 nm ở 30kV (SE)

• 4.0 nm ở 30kV(với đầu dò tán xạ ngược BSED)

• 8.0 nm ở 3kV ( SE)

Ảnh ở chế độ chân không cao ở chế độ giảm tốc chùm tia

• 7.0 nm ở 3kV ( chế độ BD và DBS*) (Lựa chọn thêm)

Ảnh ở chế độ chân không thấp ( lên tới 200 Pa) :

• 3.0 nm ở 30kV (SE)

• 4.0 nm ở 30kV(với đầu dò tán xạ ngược BSED)(Lựa chọn thêm)

• 10 nm ở 3kV (SE)

Chế độ chân không môi trường ( lên tới 4000 Pa)

• 3.0 nm ở 30kV (SE)

Không gian tham số chùm điện tử

• Dải của dòng chùm tia : có thể lên tới 2 µA, có thể điều chỉnh liên tục

• Dải thế tăng tốc : 200V - 30 kV

• Độ phóng đại : 6 đến 1000000x

Buồng máy

• Chiều rộng bên trong : 340 mm

• Khoảng cách làm việc phân tích : 10 mm

• Cổng : 12

• Góc lắp EDS : 35 độ

• Có thể lắp 3 đầu dò EDS, hai cái ở 180 độ

•  Có thể lắp đồng phẳng EDS hoặc EBSD  trực giao với trục nghiêng của bệ mẫu

TIN LIÊN QUAN